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自 1984 年以來一直是塑膠板材、棒材、管材、型材和零件領域的領導者
+886 (3) 5515301
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半導體
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Overview of Semiconductor
— 半導體工業塑料自 1984 年以來，Professional Plastics 一直是半導體行業使用的高性能塑料和陶瓷材料的主要供應商。我們提供範圍廣泛的高溫、高純度材料，為整個製造過程中的關鍵應用提供解決方案，包括晶圓清洗、蝕刻、光刻、拋光、切割、CVD、PVD、ECD、CMP、測試和封裝。我們在全球主要半導體市場設有辦事處，包括：聖何塞，新加坡和台灣。
文獻與鏈接：
專業塑料半導體材料手冊
視頻 - 用於半導體行業的塑料
象限半導體材料指南
IC 測試和處理手冊
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.jpg "Cpvc-350 - Esd Fm 4910（彎曲級）")
.gif "晶圓容器 - 4 英寸（100 毫米）")
前端晶圓加工和處理
在半導體器件製造中，各種處理步驟分為四大類：沉積、去除、圖案化和電性能修改。
沉積是將材料生長、塗覆或以其他方式轉移到晶片上的任何工藝。可用的技術包括物理氣相沉積 (PVD)、化學氣相沉積 (CVD)、電化學沉積 (ECD)、分子束外延 (MBE) 以及最近的原子層沉積 (ALD) 等。
去除工藝是從晶片上批量或選擇性去除材料的任何工藝，主要包括蝕刻工藝，濕法蝕刻或乾法蝕刻。化學機械平面化 (CMP) 也是層間使用的去除工藝。
圖案化涵蓋了塑造或改變沉積材料現有形狀的一系列工藝，通常稱為光刻。例如，在傳統的光刻中，晶片上塗有一種稱為光刻膠的化學物質。光刻膠由步進器曝光，步進器是一種聚焦、對齊和移動掩模的機器，將晶圓的選定部分暴露在短波長光下。曝光區域被顯影液洗掉。在蝕刻或其他處理之後，通過等離子灰化去除剩餘的光刻膠。
電性能的修改歷來包括最初通過擴散爐和後來通過離子注入摻雜晶體管源極和漏極。這些摻雜工藝之後是爐退火，或者在先進的設備中，是用於激活注入的摻雜劑的快速熱退火 (RTA)。電氣性能的改進現在還擴展到通過在 UV 處理 (UVP) 中暴露於紫外線來降低低 k 絕緣材料的介電常數。
濕凳和潔淨室
自 1984 年以來，Professional Plastics 一直為半導體行業提供最廣泛的優質、耐腐蝕塑料材料。 “濕式工作台”是用於濕法蝕刻和清潔晶圓和器件的工作站。各種濕式工作台在可用的特定工藝模塊和每個工位允許的材料方面有所不同。一般使用的濕式工作台是用於非標材料的酸鹼處理。半自動濕法蝕刻台，主要用於剝離光刻膠、去除劃片灰塵和濕法氧化蝕刻。半導體加工和潔淨室設備包括：自動濕法工作台、半自動濕法工作台、濕法工藝系統、潔淨室設備和家具、通風櫃、快速沖洗站、旋轉沖洗乾燥機、濕法蝕刻加工設備、化學品分配櫃、濕法工藝系統、化學品處理設備、層流工作系統和罩、化學品輸送車、酸處理站、化學流體管線和快速傾倒沖洗器。
後端 IC 製造和測試是各個設備（晶體管、電容器、電阻器等）與晶圓上的佈線互連的地方。這通常在第一層金屬沉積在晶片上時開始。 BEOL 包括用於芯片到封裝連接的觸點、絕緣層、金屬層和鍵合位置。晶圓測試計量設備用於驗證晶圓在測試之前沒有被之前的處理步驟損壞。如果晶片上的晶片——“最終將成為芯片的集成電路”——蝕刻在晶片上的數量超過了故障閾值（即一個晶片上有太多失敗的晶片），則晶片將被報廢，而不是投資於進一步的加工。
設備測試涉及對半導體設備進行各種電氣測試，以確定它們是否正常工作。晶圓上發現性能正常的器件比例稱為良率。製造商通常對其產量保密，但可能低至 30%。探針測試涉及使用電子測試儀測試晶片上的芯片，該電子測試儀將微小的探針壓在芯片上。封裝後還會再次測試芯片，因為可能缺少鍵合線，或者封裝可能會改變模擬性能。這被稱為“最終測試”。
晶圓測試是半導體器件製造過程中執行的一個步驟。在這個步驟中，在晶圓被送到芯片準備之前執行，晶圓上存在的所有單個集成電路都通過對它們應用特殊的測試模式來測試功能缺陷。晶圓測試由稱為晶圓探測器的測試設備執行。晶圓測試的過程可以通過多種方式引用：Wafer Sort (WS)、Wafer Final Test (WFT)、Electronic Die 排序 (EDS) 和電路探測 (CP) 可能是最常見的。
Wafer Prober 是一種用於測試集成電路的機器。對於電氣測試，一組稱為探針卡的微觀觸點或探針被固定在適當的位置，同時將真空安裝在晶圓卡盤上的晶圓移動到電氣接觸狀態。當一個裸片（或裸片陣列）經過電氣測試後，探測器將晶圓移動到下一個裸片（或陣列），然後可以開始下一個測試。晶圓探測器通常負責從載體（或盒子）裝載和卸載晶圓，並配備有自動模式識別光學器件，能夠以足夠的精度對齊晶圓，以確保晶圓上的接觸墊和尖端之間的準確對準。這 探針。
在半導體器件製造中，各種處理步驟分為四大類：沉積、去除、圖案化和電性能修改。
沉積是將材料生長、塗覆或以其他方式轉移到晶片上的任何工藝。可用的技術包括物理氣相沉積 (PVD)、化學氣相沉積 (CVD)、電化學沉積 (ECD)、分子束外延 (MBE) 以及最近的原子層沉積 (ALD) 等。
去除工藝是從晶片上批量或選擇性去除材料的任何工藝，主要包括蝕刻工藝，濕法蝕刻或乾法蝕刻。化學機械平面化 (CMP) 也是層間使用的去除工藝。
圖案化涵蓋了塑造或改變沉積材料現有形狀的一系列工藝，通常稱為光刻。例如，在傳統的光刻中，晶片上塗有一種稱為光刻膠的化學物質。光刻膠由步進器曝光，步進器是一種聚焦、對齊和移動掩模的機器，將晶圓的選定部分暴露在短波長光下。曝光區域被顯影液洗掉。在蝕刻或其他處理之後，通過等離子灰化去除剩餘的光刻膠。
電性能的修改歷來包括最初通過擴散爐和後來通過離子注入摻雜晶體管源極和漏極。這些摻雜工藝之後是爐退火，或者在先進的設備中，是用於激活注入的摻雜劑的快速熱退火 (RTA)。電氣性能的改進現在還擴展到通過在 UV 處理 (UVP) 中暴露於紫外線來降低低 k 絕緣材料的介電常數。
濕凳和潔淨室
自 1984 年以來，Professional Plastics 一直為半導體行業提供最廣泛的優質、耐腐蝕塑料材料。 “濕式工作台”是用於濕法蝕刻和清潔晶圓和器件的工作站。各種濕式工作台在可用的特定工藝模塊和每個工位允許的材料方面有所不同。一般使用的濕式工作台是用於非標材料的酸鹼處理。半自動濕法蝕刻台，主要用於剝離光刻膠、去除劃片灰塵和濕法氧化蝕刻。半導體加工和潔淨室設備包括：自動濕法工作台、半自動濕法工作台、濕法工藝系統、潔淨室設備和家具、通風櫃、快速沖洗站、旋轉沖洗乾燥機、濕法蝕刻加工設備、化學品分配櫃、濕法工藝系統、化學品處理設備、層流工作系統和罩、化學品輸送車、酸處理站、化學流體管線和快速傾倒沖洗器。
後端 IC 製造和測試是各個設備（晶體管、電容器、電阻器等）與晶圓上的佈線互連的地方。這通常在第一層金屬沉積在晶片上時開始。 BEOL 包括用於芯片到封裝連接的觸點、絕緣層、金屬層和鍵合位置。晶圓測試計量設備用於驗證晶圓在測試之前沒有被之前的處理步驟損壞。如果晶片上的晶片——“最終將成為芯片的集成電路”——蝕刻在晶片上的數量超過了故障閾值（即一個晶片上有太多失敗的晶片），則晶片將被報廢，而不是投資於進一步的加工。
設備測試涉及對半導體設備進行各種電氣測試，以確定它們是否正常工作。晶圓上發現性能正常的器件比例稱為良率。製造商通常對其產量保密，但可能低至 30%。探針測試涉及使用電子測試儀測試晶片上的芯片，該電子測試儀將微小的探針壓在芯片上。封裝後還會再次測試芯片，因為可能缺少鍵合線，或者封裝可能會改變模擬性能。這被稱為“最終測試”。
晶圓測試是半導體器件製造過程中執行的一個步驟。在這個步驟中，在晶圓被送到芯片準備之前執行，晶圓上存在的所有單個集成電路都通過對它們應用特殊的測試模式來測試功能缺陷。晶圓測試由稱為晶圓探測器的測試設備執行。晶圓測試的過程可以通過多種方式引用：Wafer Sort (WS)、Wafer Final Test (WFT)、Electronic Die 排序 (EDS) 和電路探測 (CP) 可能是最常見的。
Wafer Prober 是一種用於測試集成電路的機器。對於電氣測試，一組稱為探針卡的微觀觸點或探針被固定在適當的位置，同時將真空安裝在晶圓卡盤上的晶圓移動到電氣接觸狀態。當一個裸片（或裸片陣列）經過電氣測試後，探測器將晶圓移動到下一個裸片（或陣列），然後可以開始下一個測試。晶圓探測器通常負責從載體（或盒子）裝載和卸載晶圓，並配備有自動模式識別光學器件，能夠以足夠的精度對齊晶圓，以確保晶圓上的接觸墊和尖端之間的準確對準。這 探針。
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